Jauna, Eiropas Savienības finansēta projekta ietvaros tiks izstrādāti materiāli, kas spēs nodrošināt elektronisko ierīču un sensoru veiktspēju ekstremālos apstākļos. Projekts, nosaukts par MORGAN ('Materials for robust gallium nitride'), ilgs trīs gadus un tā īstenošanai piešķirts 9,2 miljonu eiro liels finansējums. Galveno vērību projekta partneri pievērsīs dimanta un gallija nitrāta labāko īpašību apvienošanai.

Konvencionālās, uz silīcija bāzes veidotās elektroniskās ierīces un sensori dažādos silīcija struktūru graujošos apstākļos pārstāj darboties vispār vai darbojas ar traucējumiem. Pie tādiem apstākļiem ietilpst augstas temperatūras, augsts spiediens un īpaši korozīva vide. Silīcijam bīstami ir arī ierīces iekšienē tās darbības laikā radušies īpašie apstākļi, kā piemēram, enerģijas izkliedēšanās augsta sprieguma plūsmu gadījumā.

Ierīcēm, kas būtu piemērotas darbībai minētos apstākļos nepieciešami tādi pusvadītāju materiāli, kas paliek stabīli augstās temperatūrās un te ļoti atbilstošs ir dimants un gallija nitrāts, kas labi pārcieš augstu temperatūru, radiāciju un elektriskos laukus.

Cita, mazāk zināma dimanta īpašība, kas padara to par ideālu karstuma novadītāju elektroniskās ierīcēs ir tā augstā siltuma vadītspēja. Dimantam tā ir lielāka nekā, piemēram, varam.

Gallija nitrāts, savukārt, izceļas ar lielisku elektrovadītspēju. Apvienojot dimanta siltumvadītspēju un gallija nitrāta elektroefektivitāti, pētnieki MORGAN ietvaros plāno izstrādāt materiālus, kas varētu kalpot ģeogrāfiski attālu atjaunojamās enerģijas avotu sadales un savienojuma sistēmu izveidē vai, piemēram, energopārvades uzlabošanai vilcienos.

MORGAN projektā piedalās 23 partneri no 11 valstīm, tai skaitā, 13 pētniecības institūti, 6 mazie un vidējie uzņēmumi, 2 industriālās laboratorijas un 2 industriālie dalībnieki. Projektu koordinēs Alcatel-Thales II-V lab - industriāla izpētes laboratorija, kas specializējusies modernu pusvadītāju tehnoloģiju izstrādē dažāda veida piemērojumiem.

www.atklajumi.lv